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新纳晶

苏州新纳晶光电有限公司


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王辉 博士

日期:2014/6/6 11:11:09 人气:2770

   王辉   

   新纳晶光电 副总经理 

   中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 研究员

   中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 硕士生导师



  王辉博士1998年于北京科技大学获材料科学与工程学士学位,2001年于北京科技大学获得材料学硕士学位后进入中国科学院半导体研究所工作,2007年于中国科学院半导体研究所获微电子学与固体电子学专业博士学位。2006年至2008年,在香港科技大学电子工程系任研究助理。多年来一直从事III族氮化物半导体材料的MOCVD的外延生长及相关光电子器件的研究工作。2010年12月加入中科院苏州纳米所,研究方向为GaN基激光器及LED的外延生长及器件制备。目前已承担或参与科技部"973"、"863"、国家自然科学基金及中科院创新基金等科研项目8项,申请国家专利3项。在Phys. Rev. B, Appl. Phys. Lett., J. Appl. Phys. 等国内外学术期刊上发表SCI、EI论文50余篇。

 

 

主持及参与的科研项目

1、 国家自然科学基金"InN材料的MOCVD生长研究";

2、 国家自然科学基金"基于纳米柱微结构的InGaN太阳能电池研究";

3、 国家自然科学基金"InGaN量子点的可控生长及其在GaN基激光器有源区中的应用研究";

4、 国家863项目"高效率InN(GaN)基太阳能电池材料生长和器件研究";

5、 国家973项目"基于纳米微结构的氮化镓基光电子器件制备及相关物理问题研究";

6、 江苏省科技成果转化项目"基于纳米图形衬底的高效LED外延、芯片的研发及产业化项目"。

 

主要文章目录如下:

(1).    H. Wang, et.al., "Effects of grain size on the mosaic tilt and twist in InN films grown on GaN by metalorganic chemical vapor deposition", Applied Physics Letters, 89, 092114 (2006).

(2). H. Wang, et.al. "Depth dependence of structural quality in InN grown by metalorganic chemical vapor deposition", Materials letters, 61, 516 (2007).

(3). H. Wang, et.al., "Investigation on the structural origin of n-type conductivity in InN films", J. Phys. D: Appl. Phys., 41, 135403 (2008).

(4). H. Wang, et.al., "The influence of growth temperature and input V/III ratio on the initial nucleation and material properties of InN on GaN by MOCVD", Semicond. Sci. Technol. 24, 055001 (2009) 

(5).H. Wang, et.al., "Suppression of indium droplet formation by adding CCl4 during metalorganic chemical vapor deposition growth of InN film", Semicond. Sci. Technol. 24, 075004(2009) 

(6). H. Wang, D. S. Jiang, J. J. Zhu, D. G. Zhao, Z. S. Liu, Y. T. Wang, S. M. Zhang, and H. Yang, "Kinetically controlled InN Nucleation on GaN templates by metalorganic chemical vapor deposition", J. Phys. D: Appl. Phys., 42 , 145410(2009).

(7). H. Wang, et.al., "Cathodoluminescence study on In composition inhomogeneity of thick InGaN layer", Thin Solid Films , in press (2010).

(8). Y. Huang, H. Wang, et.al.,, "Low-temperature growth of InN by MOCVD and its characterization", Journal of Crystal Growth, 276 (2005) 13.

(9).  Y. Huang, H. Wang, et.al., "Evolution of mosaic structure in InN grown by metalorganic chemical vapor deposition", Journal of Crystal Growth, 293 (2006) 269

(10). Q. Sun, H. Wang, et.al., "Spatial distribution of deep level defects in crack-free AlGaN grown on GaN with a HT AlN interlayer", Journal of Applied Physics, 100, 123101 (2006)



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