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新纳晶

苏州新纳晶光电有限公司


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王怀兵 博士

日期:2014/6/5 9:23:09 人气:3986

  王怀兵 

  新纳晶光电 总经理

  中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 研究员

  中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 博士生导师



  王怀兵同志1986年7月毕业于浙江大学化学工程专业;1991年6月获得浙江大学化学工程专业硕士学位;2001年3月毕业于中国科技大学材料科学与工程系,并获得博士学位。2001年4月,加入深圳方大集团股份有限公司(股票代码:000055),参与创建半导体事业部,开发和生产第三代半导体材料氮化镓基蓝光发光二极管(LED)芯片及相关产品,该项目后被列为国家火炬计划、深圳市重点建设高新技术项目。2006年8月加入中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,被聘为研究员、博士生导师。

  王怀兵同志曾参与过一项国家973科研项目、一项江苏省科研项目,作为核心成员参与了“十五”国家高科技研究发展计划重大科技攻关项目“半导体照明产业化技术开发功率型芯片产业化关键技术”。

  在氮化镓材料研究领域,王怀兵博士先后在薄膜生长Journal of CrystalGrowth 、Solid-State Electronics、Thin Solid Films等国际刊物上发表三十余篇文章、拥有二十余项专利,2002年提出大尺寸成核外延生长概念,将氮化镓材料缺陷密度降低100倍、迁移率提升到1000cm2/Vs以上;2006年开发出有源层应力预释放新结构,将有源层InGaN的V-pits缺陷密度降低一个数量级,LED性能提高30%,产品在科技部举行的全国行业评比中各项指标名列前茅。将Wulff理论应用于大功率器件,2012年开发出EBL平整化技术,大大减小了界面纳米刺相互嵌入所引起的漏电,LED器件,器件光效达到195lm/W,寿命延长一倍,位于国际前茅。

  2008年4月,王怀兵创立了新纳晶的前身——苏州纳晶光电有限公司。带领团队集中解决了两个技术和生产工艺上的难题:一是“LED芯片发光效率的提升”,二是“新型集成封装工艺开发及规模化生产设备的研制”。于2011年实现规模化生产。同年7月,获得上市公司苏州新海宜通信科技股份有限公司6.9亿元的投增资,并更名为新纳晶,2012年获批“高新技术企业”,承担省科技成果转化项目负责人。

  目前新纳晶公司在王怀兵博士带领之下,正在逐步发展壮大,产品已成功应用于一百多个工程项目,销售额两个多亿。

 

发表论文情况:

(1).  X. H. Huang, H. B. Wang,Yang, Sterilization system for air purifier by combining ultraviolet lightemitting diodes with TiO2, J Chem Technol Biotechnol 84, 1437(2009);

(2).  Huaibing Wang, Hui Yang, Improvement of InGaN-LED Performance by Optimizing thePatterned Sapphire Substrate Shapes, Chinese Phys. B 21 037105( 2012).

(3). Huaibing Wang, Hui Yang, Effect of Patterned Sapphire Substrate Shape on LightOutput Power of GaN-based LEDs,  IEEEPhotonics Technology Letter. Volume: 23 (2011) 944 – 946.

(4).   Huaibing Wang, Hui Yang, The effect of growth rate on dislocations in GaN epi-layersgrown on patterned sapphire substrate, Physica Status Solidi A.

(5).  Huaibing Wang, Hui Yang, High-efficiency InGaN-based LEDs grown patterned sapphiresubstrates, Optics Express, Vol. 19, Issue S4, A949-A955 (2011)

(6). J.P. Liu, J. H. Ryou, R. D. Dupuis, H. B. Wang, Barrier effect on holetransport and carrier distribution in InGaN/GaN multiple quantum well visiblelight-emitting diodes, Appl. Phys. Lett. 92, 021102 (2008);

(7). C.Zeng, S. M. Zhang, H. B. Wang etc, Room-Temperature Continuous-WaveOperation of InGaN-Based Blue-Violet Laser Diodes with a Lifetime of 15.6 Hours,Chinese Phys. Lett. 27, 114215(2010);

(8).  J.F.Wang, X.J. Hu, Y.M. Zhang, H.B. Wang, B.S. Zhang, K. Xu and H. Yang, Hydridevapor phase epitaxial growth of thick GaN layers with in-situ opticalmonitoring, Journal ofCrystal GrowthVolume 311,Issue 10, 1 May 2009, Pages 3033-3036;

(9). G.D. Hao, Y. H. Chen , H. B. Wang , Strain effects on opticalpolarisation properties in (11-22) plane GaN films, Chinese Phys. B19, 117104(2010);

(10).Xiaohui Huang, Jianping Liu, HuiYang, Huaibing Wang, Improvement of InGaN-LED Performance by Optimizingthe Patterned Sapphire Substrate Shapes, Chinese Physics B, 2011;

(11).Xiaohui Huang, Jianping Liu, HuiYang, Huaibing Wang, Effect of Patterned Sapphire Substrate Shape on LightOutput Power of GaN-based LEDs, IEEE Photonics Technology Letter, 23/14(2011);

(12). Xiaohui Huang, Jianping Liu, HuiYang, Huaibing Wang, High-efficiency InGaN-based LEDs grown on patternedsapphire substrates, Optics Express ,19/14(2011);

(13). 王峰,黄小辉,王怀兵,刘建平,范亚明,祝运芝,金铮,GaN基低色温高显色白光LED,光谱学与光谱分析,31/6(2011);

(14).王国斌,张永红,王怀兵.氮化镓生长反应模型与数值模拟研究(I).人工晶体学报.2010.39(增刊).160-163;

(15).王国斌,张永红,王怀兵.氮化镓生长反应模型与数值模拟研究(II).人工晶体学报.2010.39(增刊).164-168;

(16). Huaibing Wang, Jianping Liua, Guangdi Shena, “Enhanced performance ofp-GaN by Mg d doping”, Journal of CrystalGrowth 304 (2007) 7–10;

(17).Niu Nanhui,Wang Huaibing, Shen Guangdi, “Enhanced luminescence of InGaN/GaNmultiple quantum wells by strain reduction”, Solid-State Electronics 51 (2007) 860–864;

(18).Liu Naixin, Wang Huaibing, ShenGuangdi, “Growth of p-GaN at low temperature and properties for light emittingdiodes”, ACTA PHYSICA SINICA, 55(2006)1424-1428;

(19).Niu Nanhui,Wang Huaibing, Shen Guangdi, “Improved qualityof InGaN/GaN multiple quantum wells by a strain relief layer”, Journal of Crystal Growth 286 (2006)209–212;

(20).刘乃鑫, 王怀兵, 刘建平, 牛南辉, 韩军, 沈光地,  p型氮化镓的低温生长及发光二极管器件的研究  物理学报, 55(2006)1424-1428;

(21). LiuNaixin, Wang Huaibing, Shen Guangdi, “Investigation of high holeconcentration Mg- doped InGaN epilayer”, ACTA PHYSICA SINICA, 55(2006)4951-4955;

(22).牛南辉, 王怀兵, 刘建平, 刘乃鑫, 沈光地,  InGaN/GaN多量子阱蓝光LED的p-GaN盖层的MOCVD生长研究  光电子×激光, 17 (2006) 517-521;

(23). Niu Nanhui, Wang Huaibing, Shen Guangdi, “The effects of sapphire substrate miscut angle on the properties of GaNfilms”, Journal of Functional Materials, 12(2006) 1914-1916. (in Chinese);

(24). Nanhui, Niu; Huaibing, Wang; Jianping, Liu; Naixin, Liu; Yanhui, Xing; Jun, Han; Jun, Deng; Guangdi, Shen, Improved quality of InGaN/GaNmultiple quantum wells by a strain relief layer, Journal of Crystal Growth 286 (2006) 209-212.;

(25). H.Z. Song, H.B. Wang, S.W. Zha, D.K. Peng, GYMeng, Aerosol-assisted MOCVD growth of Gd203-doped Ce02 thin SOFC electrolyte film on anode substrate, Solid State Ionics 156 (2003) 249-254;

(26). H.Z. Song, H.B. Wang, J. Zhang, D.K.Peng, GY Meng, Properties characterization of Ce(DPM)4 served as precursor forMOCVD, Materials Research Bulletin 37 (2002) 1487-1497;

(27). GY Meng, H.Z. Song, H.B. Wang, C.R. Xia,D.K. Peng, Progress in ion-transport inorganic membranes by novel chemicalvapor deposition (CVD) techniques, Thin Solid Films 409 (2002) 105-111;

(28). H.B. Wang, D.K. Peng, GY Meng, Aerosol and plasmaassisted chemical vapor deposition process for multi-component oxide La0.8Sr0.2MnO3thin films, Thin Solid Films, 368 (2000) 275.;

(29). H.B. Wang, C.R. Xia, GY Meng, D.K. Peng, Deposition andcharacterizationof YSZ thin films by aerosol-assisted CVD. Materials Letters.44 (2000) 23;

(30).  H.B. Wang, H.Z. Song, C.R. Xia,D.K. Peng, GY Meng, Aerosol-assisted MOCVD- deposition of YDC thin films on(N10 +YDC) substrates, Materials Research Bulletin 35

 

已授权的专利:

1.王怀兵,杨辉等,一种用于释放应力的多孔缓冲层制备方法,专利号ZL 200710191884.3;

2.王怀兵、朱建军、杨辉,一种可抑制化学气相沉积预反应的进气蓬头, ZL200720033763.1;

3.陈韦,王怀兵等,LED纳米光催化有机废水深度处理装置,200810242870.4;

4.陈韦,王怀兵等,LED纳米光催化室内空气净化装置,200820237591.4;

5.陈韦、王怀兵、杨辉,TiO2纳米管和/或TiO2纳米须的制造方法,200710041763.0;

6.王怀兵、陈韦、杨辉,一种纳米杀菌除污装置,200710041782.3;

7.王国斌、张永红、王怀兵等,一种垂直喷淋式MOCVD反应器,201010168746;

8.邱凯、王国斌、张永红、王怀兵等,用于CVD反应器的进气装置,201010168749;

9.王怀兵等,高温金属有机化学气相淀积反应室,ZL200810025396.X,ZL200910025383.7;

10.王怀兵、黄小辉等,半导体薄膜的纳区横向外延生长方法;

11.王怀兵、孔俊杰等,一种氮化镓基外延膜的激光剥离方法,200910031266.1;

12.郝国栋、王怀兵等,一种新型结构的大功率氮化镓基LED,200910264672.2;

13.范亚明、王怀兵等,一种氮化镓基发光二极管及其制备方法,201010296115.1;

14.王怀兵、孔俊杰等,一种蓝宝石图形衬底及其制备方法,201010296105.8;

15.王怀兵、王峰等,一种内嵌式发光二极管封装方法及封装结构,201010564822.4;

16.王怀兵、王峰等,一种内嵌式发光二极管封装结构,201020631820.8;

 


主要承担项目:

1.江苏省科技成果转化项目“基于纳米图形衬底的高效LED外延、芯片的研发及产业化”,项目负责人;

2.江苏省科研项目“新型医用光源关键材料技术研究” 项目负责人;

3.苏州市科技计划项目“大功率氮化镓基LED衬底剥离产业化关键技术研究”,项目负责人;

4.苏州市科技计划项目“基于纳米图形衬底的高效LED照明芯片研发(中试及产业化)”,项目负责人;

5.苏州市科技计划项目“基于网状图形衬底的高效白光LED产业化制备技术研究”,项目参与者。



获得主要荣誉称号:

1.江苏省科学技术奖  第一位

2.苏州市科学技术奖  第一位

3.园区领军人才      第一位



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